在PC DIY領(lǐng)域，固態(tài)硬盤的性能提升往往不如其他硬件那樣激進(jìn)。直到三星990 PRO的推出，PCIe 4.0時(shí)代的性能上限才被真正觸及。然而，隨著3A游戲容量的大幅增加和本地AI模型如DeepSeek的部署，對存儲(chǔ)設(shè)備的I/O性能和容量提出了更高要求，使得PCIe 5.0固態(tài)硬盤成為理想之選。

盡管PCIe 5.0標(biāo)準(zhǔn)在2019年5月就已發(fā)布，但首批PCIe 5.0固態(tài)硬盤直到2022年AMD發(fā)布銳龍9000平臺(tái)后才陸續(xù)上市。然而，高昂的價(jià)格、僅約10000MB/s的讀寫性能（遠(yuǎn)低于PCIe 5.0x4的16GB/s帶寬上限）以及驚人的發(fā)熱量，讓不少嘗鮮用戶望而卻步。一些產(chǎn)品甚至需要配備風(fēng)扇和熱管等散熱器，這在固態(tài)硬盤中實(shí)屬罕見。

第一代PCIe 5.0固態(tài)硬盤上市后經(jīng)歷了短暫的“冷靜期”。作為消費(fèi)級存儲(chǔ)行業(yè)的標(biāo)桿，三星的動(dòng)態(tài)備受關(guān)注。雖然去年三星已發(fā)布了兼容PCIe 5.0的990 EVO和990 EVO Plus，但這兩款產(chǎn)品主打效能，真正的“進(jìn)攻型”產(chǎn)品一直未有消息，這符合三星穩(wěn)扎穩(wěn)打的技術(shù)路線。

上個(gè)月末，三星9100 PRO的發(fā)布打破了這一沉寂。它不僅在性能上再次獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷，還解決了上一代PCIe 5.0固態(tài)硬盤發(fā)熱嚴(yán)重的問題，標(biāo)志著PCIe 5.0固態(tài)硬盤的成熟。從命名上看，四位數(shù)的全新系列和最大的9字開頭，彰顯了三星對這款產(chǎn)品的重視程度。100既代表首款產(chǎn)品，也象征著一個(gè)全新的起點(diǎn)。

在評測前，我們先來看看三星9100 PRO的主要特點(diǎn)：

1. 支持PCIe 5.0x4和NVMe 2.0規(guī)范

2. 順序讀寫性能高達(dá)14800MB/s和13400MB/s，相比上代產(chǎn)品990 PRO提升99%和94%

3. 隨機(jī)讀寫性能高達(dá)2200K IOPS和2600K IOPS，隨機(jī)寫入速度相比990 PRO最高可提升73%

4. 采用增強(qiáng)的散熱管理解決方案，能效相比990 PRO提升49%，具備過熱保護(hù)機(jī)制（DTG）

5. 標(biāo)準(zhǔn)版和散熱片版齊發(fā)，兼容性廣泛

6. 提供1TB、2TB、4TB容量可選，未來還將推出8TB容量版本

三星9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版的外觀延續(xù)了PRO系列的經(jīng)典設(shè)計(jì)，正面標(biāo)簽變窄，能清晰看到NAND FLASH、主控和DRAM緩存芯片。散熱片版則配備了包裹式散熱片，產(chǎn)品標(biāo)簽貼在背面。

我們本次測試的均為4TB容量版本，采用單面芯片設(shè)計(jì)，既減少了發(fā)熱又提升了兼容性。標(biāo)準(zhǔn)版PCB背面NAND FLASH的位置還覆有銅箔散熱片，進(jìn)一步提升散熱效率。

三星9100 PRO的正面標(biāo)簽設(shè)計(jì)更加細(xì)長，但風(fēng)格依然保持一致。標(biāo)簽上還標(biāo)注了容量、S/N編碼等信息，工作電流為3.3V 2.9A，與自家的980 PRO相同，達(dá)到PCIe 4.0高端產(chǎn)品的水準(zhǔn)。

散熱片版配備了8.8mm高的包裹式散熱器，符合PCI-SIG?D8規(guī)范，不會(huì)干擾顯卡、主板的PCH散熱片等，兼容性極佳。獨(dú)特的造型設(shè)計(jì)不僅增加了散熱面積，還有效防止過熱。

揭開9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版正面的標(biāo)簽，可以看到PCB上布滿了元器件，視覺效果非常飽滿。三星9100 PRO配備了三星最新的自研主控芯片，采用5nm制造工藝和低功耗架構(gòu)，表面有鍍鎳散熱涂層，加上動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG）和銅箔輔助散熱標(biāo)簽/包裹式散熱器，確保長時(shí)間穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸。

作為高端產(chǎn)品，9100 PRO配備了LPDDR4X DRAM獨(dú)立緩存芯片，4TB版本配備了4GB，進(jìn)一步提升了I/O效能。核心存儲(chǔ)元件是兩顆三星第八代V-NAND TLC原廠閃存芯片，保證了其卓越的性能。

通過Crystal Disk info，我們可以看到三星9100 PRO標(biāo)準(zhǔn)版4TB的可用容量為4000.7GB，傳輸模式為PCIe 5.0x4，支持NVMe 2.0標(biāo)準(zhǔn)，以及S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache功能。VolatileWriteCache是NVMe協(xié)議中的一個(gè)特性，通過暫存數(shù)據(jù)減少延遲并提高寫入速度。

在基準(zhǔn)測試中，三星9100 PRO 4TB的連續(xù)讀取速度高達(dá)14748.23MB/s和13448.37MB/s，接近標(biāo)稱值，達(dá)到了“滿血”PCIe 5.0水準(zhǔn)。其順序讀寫性能相比上代旗艦產(chǎn)品990 PRO近乎翻倍。

在隨機(jī)性能測試中，三星9100 PRO 4TB的4K隨機(jī)性能達(dá)到2000K IOPS和1915K IOPS，可大幅提升系統(tǒng)響應(yīng)和應(yīng)用/游戲加載速度。三星特有的TurboWrite 2.0技術(shù)大幅提升了SLC緩存空間，在HD Tune Pro的文件基準(zhǔn)測試中，SLC緩存大于設(shè)定的230GB。

在高階性能測試中，我們使用IOmeter進(jìn)行壓力測試。在順序?qū)懭霚y試中，三星9100 PRO 4TB的連續(xù)寫入速度穩(wěn)定在13100--13400MBps區(qū)間，空盤時(shí)SLC緩存約為995GB。在隨機(jī)寫入測試中，性能也非常穩(wěn)定，密集區(qū)間處于240000~245000IOps。

在能耗方面，三星9100 PRO也非常注重。它有5種預(yù)設(shè)模式，全速運(yùn)行PS0--PS2模式最高功耗為9.3W，但淺度睡眠PS3模式可低至0.05W，深度睡眠PS4模式更是低至0.007W，整體能耗甚至與一些DRAMLess的PCIe 4.0固態(tài)硬盤相當(dāng)。

在壓力測試中，三星9100 PRO的溫度控制也非常出色。在25℃室溫下待機(jī)溫度僅為49℃，測試中最高溫度僅有71℃，不會(huì)觸發(fā)動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG）。測試完成后5分鐘，溫度就降到接近待機(jī)狀態(tài)。

在應(yīng)用模擬測試中，三星9100 PRO 4TB在PCMARK10完整系統(tǒng)盤測試中得分6331分，帶寬為997.95MB/s。在3DMARK存儲(chǔ)測試中得分5936分，平均帶寬為1008.14MB/s。在最終幻想：曦光旅路的Benchmark中，全部轉(zhuǎn)場載入時(shí)間僅為6.275秒，相比某PCIe 4.0旗艦級固態(tài)硬盤減少了35%。

三星還提供了SAMSUNG Magician軟件，讓用戶隨時(shí)了解存儲(chǔ)設(shè)備的健康狀態(tài)并進(jìn)行原廠級維護(hù)。該軟件支持性能測試、性能模式設(shè)置、數(shù)據(jù)遷移和安全擦除等功能。

三星9100 PRO不僅性能卓越，品質(zhì)也非常出眾。它擁有高達(dá)150萬小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間(MTBF)，全盤寫入壽命高達(dá)2400TBW（4TB容量），并提供5年質(zhì)保。還支持AES256位全磁盤加密等數(shù)據(jù)安全技術(shù)，為專業(yè)領(lǐng)域的數(shù)據(jù)安全提供保障。